最後更新日期:2026年08月04日

美光(MU)6 月底公布的財報,單季營收衝上 415 億美元、年增 346%,毛利率創下公司成立以來的新高,下一季還直接喊出約 86% 的指引。

而美光只是整條供應鏈沸騰的其中一個縮影。如果你正在找記憶體概念股,真正的重點或許不是美光本身,而是站在它背後、把「鏟子」賣給它的那一票上游廠商。這篇文章會先帶你看懂這輪超級循環到底有多猛、為什麼可能還沒到頂,再聚焦 5 檔最直接受惠的上游精選股。

記憶體正在經歷史上最猛的一輪超級循環

先感受一下漲價的速度有多誇張:

  • 根據 TrendForce,2026 第一季的標準型 DRAM 合約價,單季暴漲 93%~98%——這是有紀錄以來最大的單季漲幅。一開始市場預估只有 55~60%,結果一路往上修。
  • NAND Flash 也沒在客氣,第二季合約價季增 70%~75%,這一輪甚至是它第一次漲得比 DRAM 還兇,背後推手是企業級 SSD 爆量的需求。
  • 把時間拉長到整年,Gartner 預估 2026 年 DRAM 均價年增約 125%、NAND 更誇張,年增約 234%

真正關鍵的,是這輪的「體質」和過去完全不同。

2021 那一次缺貨,本質是疫情打亂了供給,是一次性的意外。這次不是。這輪是 AI 資料中心把記憶體的需求整個往上抬,訓練、推理、HBM 全部同時搶產能,變成一種「需求驅動」的結構性短缺。供給沒有斷,是需求太猛。

現在想幫電腦加一條記憶體、想換顆大容量 SSD,價格在一年之間翻了好幾倍。這不是通路在喊價,而是從最上游一路傳導下來的真實漲勢。而每一次這種等級的漲價,最後都會誠實地反映在整條供應鏈的財報與市值上,這也是後面要談那 5 檔「賣鏟人」的起點。

為什麼這輪不一樣?四個結構性驅動

市場上一直有個聲音:記憶體本來就是景氣循環股,漲多了總會回頭,現在會不會其實已經是山頂?

這擔心不能說沒道理,記憶體確實有循環性。但這輪之所以值得認真對待,是因為撐住它的不再是一次性的缺貨,而是四個「結構性」的力量。這四點合起來決定了漲價不只是短期現象,而且頂部很可能比多數人想的還要遠。

驅動一:AI 機櫃的記憶體含量正在指數級跳升

過去談伺服器需求,我們看的都是「賣了幾台」,但到了 AI 時代,更重要的是「每台需要多少記憶體」。

看看 NVIDIA 這幾代 GPU 就知道了,H100 配備 80GB HBM,H200 提升到 141GB,Blackwell(B200)來到約 180~192GB,而最新的 GB300 與下一代 Rubin 更直接上看 288GB。短短幾個世代,單顆 GPU 的 HBM 容量就增加超過三倍,而且使用的還是製程更複雜、成本更高的 HBM。

系統記憶體(DDR5)也是同樣的趨勢。一台高階 AI 伺服器通常會搭載 2~4TB DDR5,容量是傳統企業伺服器的好幾倍。TrendForce 也預估,到了 2026 年,光是 AI 與伺服器應用,就會消耗約七成的高階 DRAM 產能。

這代表的不只是 AI 伺服器越賣越多,而是每台伺服器、每顆 GPU 用到的記憶體都在快速增加。產業裡把這種現象稱為 Content Growth,也就是出貨量持續成長,加上單機記憶體用量同步提升,兩股力量疊加後,需求成長速度自然會越來越快。

對上游設備、材料與測試廠來說,這也是最穩健的成長來源。它們受惠的不只是記憶體價格上漲,而是每增加一顆 HBM、每新增一台 AI 伺服器,就需要更多製造設備、耗材與測試流程,需求也會跟著持續放大。

驅動二:位元供給撞上「微縮天花板」

過去,DRAM 廠提高產能最有效的方法,就是持續把製程微縮(Scaling)。製程越先進,同一片晶圓就能生產更多位元(Bit),平均成本也會跟著下降。但現在,這條路正逐漸逼近極限。

DRAM 製程已經推進到 1a、1b、1c 等「1x 奈米」世代,每往前跨一步,製程難度和資本投入都大幅提高。以三星最新的 1c 製程為例,雖然單片晶圓可產出的位元數比 1a 提高約七成,但新製程初期良率通常較低,因此實際增加的供給並沒有理論值那麼高。

這也反映在整體供給上。如今全球 DRAM 位元供給年增率大約只剩 10~16%,IDC 預估 2026 年約為 16%,已明顯低於過去 20~30% 的成長速度。TrendForce 也指出,即使記憶體原廠增加資本支出,2026 年位元供給仍難以大幅提升,原因在於無塵室空間、設備安裝與製程導入都需要時間,短期內真正能擴產的廠商並不多。

這代表,當微縮帶來的供給增幅逐漸放緩,未來若要滿足持續攀升的 AI 記憶體需求,就必須依靠興建新廠、增加晶圓投片量來擴充產能。而每一座新廠、每一條新產線,都意味著更多設備、材料與測試需求,最終受惠的就是整個半導體設備供應鏈。

驅動三:良率稀釋「有效產能」

還有一個市場很容易忽略的重點,記憶體原廠宣布的「產能」,不等於最後真正能出貨的「有效產能」。兩者之間,差的就是良率。

這在 HBM 身上尤其明顯,HBM 是把多層 DRAM 晶片垂直堆疊而成,從早期的 2 層、4 層,一路發展到現在的 12 層,未來還會走向 16 層甚至更高。層數越多,製造難度就越高,只要其中一層出現瑕疵,整個堆疊都有可能報廢,因此最終良率會隨著堆疊層數增加而下降。

也就是說,即使原廠新增了大量 HBM 產能,真正能交到客戶手上的成品,仍會受到良率限制。這也是為什麼市場看到「擴產」,不代表供給就會立刻大幅增加。

為了提高良率,記憶體廠只能投入更多測試與量測。在晶片堆疊前,必須先篩選出沒有瑕疵的晶粒(Known Good Die);堆疊過程中,也需要持續檢查每一層是否精準對位、連接是否正常,才能避免最後整顆 HBM 報廢。

對上游測試與量測設備廠來說,這反而是一個長期利多。HBM 堆疊層數越高、晶圓投片越多,每片晶圓需要的測試、量測與探針卡使用次數就越多。因此,AI 帶動的不只是 HBM 出貨量成長,也同步推升了整個測試設備供應鏈的需求。而下方要介紹的兩家公司,正是這個環節的重要受惠者。

驅動四:真正吃記憶體的應用,還沒上桌

現在撐起這輪超級循環的,幾乎全是「雲端」的 AI,資料中心裡的訓練與推理。這量體已經足夠大了,但說穿了它比較像開胃菜。真正的大胃王,是 AI 走出資料中心、走進實體世界的那一天。

Physical AI(實體 AI)如:自動駕駛、人形機器人、工廠自動化、無人機……這些要「感知、決策、行動」的機器,全都得在裝置端塞進大量記憶體。舉個具體的數字:美光執行長 Sanjay Mehrotra 在最新的電話會議中提到,一台 L4 等級的自駕車,車上記憶體可能超過 300GB,那是好幾支高階手機的量,而且是「每一台車」都要。未來的機器人,胃口只會更大。

而這個品類本身正在被放大。高盛估計,人形機器人市場到 2035 年約 380 億美元、出貨約 140 萬台;摩根士丹利更樂觀,直接喊到 2050 年 5 兆美元、全球超過 10 億台機器人。就算把數字打對折,那也是「上億台裝置、每一台都內建一堆記憶體與儲存」的需求。

別忘了還有 AI 影音。生成一段影片、一部短片,吃掉的算力和記憶體遠比生成一段文字兇;等到 AI 影音、AI 遊戲這類應用普及,又是另一個級距的胃口。

重點在這些幾乎都還沒真正上量,換句話說這輪超級循環現在看到的需求,很可能只是長期曲線的前段。當然,時程有不確定性,光是人形機器人 2035 年的市場預估,從 90 億到 2510 億美元都有人喊,落差大到嚇人,不該當成明天就會發生。但方向算是很清楚,就是記憶體的長期需求是往上不是往下。

四檔記憶體上游「賣鏟人」概念股精選

整條記憶體供應鏈裡能沾到光的公司很多,但以下先刻意避開兩類:一是原廠本身(美光、SanDisk 這些),它們是這輪的主角沒錯,但不是本文想談的「賣鏟人」;二是雖然是好公司、但估值已經拉得很滿的公司,像 EUV 獨佔的 ASML。

結果就是這 4 檔,剛好卡在供應鏈的 4 個不同關鍵位置:

  • FormFactor(FORM)——探針卡,HBM 測試的第一線耗材
  • Onto Innovation(ONTO)——量測與檢測
  • Silicon Motion(SIMO)——NAND 控制器,每顆快閃記憶體都要配
  • Lam Research(LRCX)——前道蝕刻/沉積設備,蓋廠就要用

              

1. FormFactor(FORM)

FormFactor 的本業是探針卡(probe card)。晶圓在切割、封裝之前,得先一顆一顆測好壞,而探針卡就是那個「用成千上萬根探針去接觸每一顆晶片」的關鍵介面,在 DRAM/HBM 這一塊的探針卡市場 FORM 為領先者。

下圖是來自 FORM 財報簡報的資訊,它展示了一張高階的邏輯晶片探針卡(左方),其物理尺寸相當巨大,直徑可達 600 毫米,大小甚至超越一顆標準的籃球。然而,這個巨大的載體必須處理的任務卻極其微觀。它必須精準對應的晶片接觸區,往往只有鉛筆尖那麼小,而負責導通訊號的每一根探針,間距更是僅有 50 微米,這比人類的一根頭髮還要細。

這意味著廠商必須在如同籃球般巨大的面積上,確保數萬根比頭髮還細的探針,在每一次接觸時都能分毫不差地對準目標。只要有一根針歪掉或接觸不良,測試就會失敗,這種同時要求大型機構強度與微米級精度的工藝,正是探針卡產業極深的護城河。

為什麼它跟這輪存儲循環綁得這麼緊?因為探針卡是一種「會磨損的客製化耗材」。每出一代新的 HBM、新的晶片,都得重新設計一款專屬探針卡,而且用久了會耗損、得換新。這代表它賺的不是一次性的設備財,而是被「設計迭代 × 出貨量」雙重放大的持續性需求。

接回前面的驅動三,HBM 層數越疊越高、堆疊前的 KGD(已知良品裸晶)測試越做越密,每一顆 HBM 消耗掉的探針卡就越多。它的客戶是 SK 海力士、美光、三星,一旦通過認證綁定,切換成本就很高。這就是它「HBM 出貨量越大、它賺越多」的底層邏輯。

財務與展望

這股動能已經先反映在數字上。2026 第一季(3 月底止)營收 2.261 億美元,年增 32%、季增 5%,創下單季新高;非 GAAP 毛利率一口氣拉到 49.0%;非 GAAP EPS 0.56 美元,是去年同期 0.23 的兩倍多。往前看,第二季指引再墊高一階,營收約 2.4 億、毛利率約 49.5%、EPS 約 0.61,而且帳上是淨現金、資產負債表乾淨。以一檔上游耗材股來說,這是「營收創高+毛利率還在往上」的漂亮組合。

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催化劑

最關鍵的催化劑是 Smart Matrix,這套面向 HBM4 的高速測試架構,已經拿下第二家 HBM 大客戶採用,直接推升它的市佔與單卡含量。HBM 探針卡業務年增超過 50%,光是對南韓的銷售就年增約 29%,是 HBM 需求最直接的體現。除了記憶體,它在邏輯/網通晶片的探針卡需求也同步走強,等於多了第二條成長腿。

風險和估值

FORM 屬於小型股,客戶又高度集中在少數幾家 HBM 大廠,只要其中一家記憶體資本開支放緩,訂單波動會很直接。再加上股價會隨 HBM 資本支出的市場情緒大幅上下,估值並不算便宜,追高得看節奏。

以最新的估值來看 FORM 的 Forward PE 來到 42,就算是距離高點已經下跌 3 成,在整個賣產人公司裡面屬於中高水平,市場的空方看法則是圍繞在產能擴張前 FORM 下半年的營收可能接近平盤,直到 Farmers Branch 廠房 2027 年逐步貢獻,這部分可能會壓縮到近一兩季的估值敘事。

根據下圖的 Growin AI 個股分析,FormFactor(FORM)在價值面獲得 4 分,顯示 AI 評估它正卡在 HBM 測試最直接受惠的位置、財務體質穩健,隨著 HBM 出貨放大,營運有較高機率持續向上;籌碼面則拿到滿分 5 分,反映機構資金持續關注布局。對完整 AI 分析有興趣的朋友,歡迎點下方連結查看。

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2. Onto Innovation(ONTO)

Onto Innovation 做的是光學量測與缺陷檢測,就是在製造過程中用光學設備去「看」晶圓和封裝有沒有瑕疵、對位準不準、凸點均不均勻,它的旗艦平台叫 Dragonfly。

它跟這輪存儲循環的關係,直接接回驅動三。HBM 是把十幾層裸晶疊起來,良率是相乘的、只要一層壞整堆就報廢,所以「在堆疊前後把不良品揪出來」,等於是有效產能的生死線。

ONTO 在先進封裝的光學檢測/量測是領先者,而量測檢測又有個很黏的特性,設備一旦跟某條產線的良率學習資料、製程配方綁在一起,要換掉的代價極高。

財務與展望

ONTO 在 Q1 2026 營收 2.919 億美元,年增約 9.5%、季增約 10%;non-GAAP 毛利率 55.7%,比一年前的 55.1% 再往上、季增 110 個基點;EPS 1.42 美元,超出市場預期。這個毛利率在整條設備供應鏈裡屬於高段班,而且還在隨 AI 封裝占比上升而擴張。往前看,公司預期 2026 全年營收成長超過 30%、第四季營業利益率上看 30%+,其中最核心的先進封裝業務,看到 2026 年成長超過 30%。

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風險和估值

客戶同樣集中在少數幾家 HBM/先進封裝大廠,一旦資本開支放緩,就會有週期性壓力。它在相鄰的檢測領域還要面對 KLAC、Camtek 的競爭,不是單點壟斷。

不過估值角度來看,ONTO 的最新 Forward PE 為 35,並沒有明顯高於近幾年的平均估值,相較競爭對手 KLAC 約近 50 的 Forward PE 來說也較為便宜。

根據下圖的 Growin AI 個股分析,Onto Innovation(ONTO)在價值面獲得 3 分,顯示 AI 評估它卡在 HBM 良率檢測的關鍵位置、毛利率與現金流體質俱佳,隨先進封裝需求放大,營運有較高機率持續向上;籌碼面則拿到 5 分,反映機構資金對這條「良率賣鏟人」的持續布局。想看完整 AI 分析的朋友,歡迎點下方連結。

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3. Silicon Motion(SIMO)|每一顆 NAND 都要配的控制器

Silicon Motion 是一家 fabless(無晶圓廠)的 NAND 快閃記憶體控制器設計公司。你手機、SSD 裡的 NAND 顆粒本身不會自己管理讀寫,得靠一顆控制器去處理讀寫、糾錯、壽命平衡,這顆控制器就是 SIMO 的本業。它的產品線橫跨消費級 SSD 控制器、嵌入式 eMMC/UFS(手機、汽車、IoT),以及正在放量的企業級/資料中心 SSD 控制器(MonTitan 平台)。

SIMO 幾乎 100% 營收都跟 NAND 綁在一起。但有個關鍵差別,不管一顆 NAND 賣多少,只要世界上用到的 NAND 越多、每台裝置塞的 SSD 越多,它的控制器就出得越多。相對於原廠來說 SIMO 的收入穩定性更高一些,因為它少了直接扛價格上沖下洗的風險。

護城河則在於 SIMO 在獨立控制器裡的領先份額、深厚的韌體與 IP、加上跟快閃原廠多代協同設計的關係,設計一旦中標、通過平台認證,黏性就很高。

財務與展望

SIMO Q1 2026 營收為 3.421 億美元,年增 105%、季增 23%,創單季新高;毛利率 47.2%,淨利 5,385 萬美元,EPS 1.58 美元。成長來源很分散但都很猛,嵌入式 eMMC/UFS 控制器年增 140~145%,車用 Ferri 儲存產品更暴增逾 7 倍。展望部分,第二季指引營收季增 15~20%、年增 98~107%,毛利率上看 49.5%,而且會隨企業級占比提高而繼續走高。

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催化劑

SIMO 最大的催化產品是企業級/資料中心 SSD 控制器 MonTitan,它已經宣布提前出貨,終端客戶涵蓋全球前五大雲端服務商(CSP)。

這是 TAM 和單價的台階式跳升,因為企業級、資料中心的 QLC SSD 更複雜、單價也更高。高階 PCIe Gen5 控制器方面,SIMO 據稱已拿下約九成的模組廠設計中標,並在 NVIDIA GTC 2026 展出對齊 NVIDIA AI 生態的企業級 SSD 與開機碟方案。

當原廠擴產、NAND 位元大幅放量,控制器就是「每一顆 NAND 都要配」的搭載件,而 AI 資料中心的胃口,正把需求往更高階、更高單價的方向推。

風險和估值

它終究擺脫不了 NAND 的週期性,雖然賺的是搭載率的錢,但只要位元需求轉弱,還是會被拖到。客戶也集中在幾家快閃原廠與模組廠,而且它的位置在 NAND 原廠的下游、有一部分要依賴原廠。再加上股價已經反應過一大段,追高得先有心理準備。

但估值角度來看,SIMO 最新的 Forward FE 位於 33 左右,雖然較往年約 15~20 的估值來說偏貴,但考慮到未來的潛在增長以及持續上升的營收、淨利年增來看,目前的估值是可以接受的範圍。

根據下圖的 Growin AI 個股分析,Silicon Motion(SIMO)在價值面獲得 3 分,顯示 AI 評估 SIMO 體質相對穩健;籌碼面則拿到 3 分,反映機構對這檔中盤 NAND 彈性股的關注。想看完整 AI 分析的朋友,歡迎點下方連結。

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4. Lam Research(LRCX)

Lam Research 是前道設備(WFE)裡的龍頭,專精兩件最關鍵的工序:蝕刻(etch)與沉積(deposition),也就是把電路一層一層「刻」上晶圓、再把材料「填」回去。這兩步,恰好是記憶體製造最吃重的環節。

為什麼它跟這輪存儲綁得這麼緊?首先 3D NAND 是靠「往上疊層數」來增加容量的,每多疊一對層,就需要更強的高深寬比(HAR)蝕刻與填充。再來 DRAM 往先進節點推進時,它的蝕刻/沉積也越來越關鍵。

在幾家美系前道設備 WFE 龍頭裡,LRCX 的存儲業務占比最高,最新一季,記憶體就占了系統營收的 39%(DRAM 27% + NAND 12%)。

財務與展望

LRCX 在最新的 FQ3 FY2026 營收 58.4 億美元,從上季的 53.4 億再創新高;毛利率 49.8%、營業利益率 35.0%;淨利 18.3 億美元、EPS 1.45 美元。六月季指引續強,營收約 66 億、毛利率上看 50.5%、EPS 約 1.65,等於提前打到長期毛利率目標。產業層面,Lam 把 2026 年的 WFE 市場預測上調到約 1,400 億美元,先進封裝營收今年預期成長逾 50%,帳上淨現金、自由現金流強勁、回購積極。

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催化劑

最有想像空間的是 NAND 資本開支的回暖。這一輪 NAND 落後於 DRAM,才剛開始復甦,而且主要是靠「技術升級」(往更高層數)而不是單純擴產,這種升級對 LRCX 的 HAR 蝕刻是不成比例的利多。

市場預估約 400 億美元的產線轉換會在明年底前完成,之後想再增加供給就得蓋新產能。另一條線,是 DRAM 製程的升級,美光、三星這幾家原廠不只是多蓋廠而已,還在拼命把製程做得更精細,越進步代表電路線寬越細、也越難做。

而製程越先進,每一片晶圓要跑的蝕刻、沉積步驟就越多,LRCX 的 TAM 也隨之更有想像空間。

還有一個潛在的驚喜,叫乾式光阻(Dry Resist)。光阻,是晶圓在光刻時要塗上去的一層感光材料;傳統做法是「濕的」用塗布的,LRCX 則開發出一套「乾式」的新製程。如果 DRAM 廠開始大規模採用,這對 LRCX 會是一條幾乎沒有對手的全新收入來源。

風險和估值

LRCX 估值也屬於略微昂貴,Forward PE 位在 43 左右。LRCX 不像小型股那樣有爆發性的不對稱空間,WFE 本質也仍有週期性,萬一 AI 資本開支進入消化期、設備訂單出現空檔,估值會直接反映。還有,存儲雖是它占比最高的一塊,但它同時也吃邏輯/代工(本季代工占系統營收 54%),所以它並不是一檔純存儲押注。

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結語

這些賣產人它們不需要預測記憶體價格會漲到哪裡,而是受惠於整個 AI 記憶體需求持續成長。只要 HBM 容量越做越大、AI 伺服器越蓋越多,就需要更多設備、材料、測試與 IP 授權。像是探針卡等耗材、量測與檢測設備、NAND 控制器,以及設備售後服務和授權收入,都屬於需求跟著產能一起成長、商業模式相對穩定的環節。

當然,這並不代表這些公司現在就一定值得買。事實上,許多相關個股過去一年已經累積不小漲幅,因此真正要思考的不是「是不是好公司」,而是兩件事:第一,記憶體業務對它的營收與獲利占比有多高;第二,市場是否已經充分反映未來的成長預期。這也是最後從整條供應鏈中,只挑出五家公司的原因。

最後還是要提醒風險,這些公司的主要客戶集中在少數幾家記憶體大廠,一旦資本支出縮減,設備與材料需求通常也會率先受到影響。此外,未來如果 AI 投資放緩,或中國持續擴充 DRAM、NAND 產能,都可能對產業景氣帶來壓力。因此,面對這類循環與成長兼具的題材,分批布局、耐心等待合適的進場時機,通常會比一次重壓更合適。

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